サムスン超え、東芝世界一へ 3次元メモリー「48層」年内量産 ~ 産経ニュース
東芝がスマートフォンなどに使われる記憶用半導体の「3次元タイプ」のNAND型フラッシュメモリーで、韓国のサムスン電子を上回る製造技術を開発したことが24日、わかった。記憶素子を垂直に積載する3次元メモリーはサムスンが昨年から32層の積層品を量産しているが、東芝は48層のタイプを開発し世界一に躍り出る。東芝は今年後半から量産する計画で、今後、スマホなどに保存できるデータ容量が飛躍的に増える可能性がある。
世界初、東芝が48層積層プロセスの3次元フラッシュメモリー「BiCS」を開発 ~ ascii.jp
東芝は3月26日、世界初という48層積層プロセスを採用した128ギガビット(16GB)の2ビット/セル(MLC)3次元フラッシュメモリー「BiCS」を開発、サンプル出荷を開始した。
世界初、48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ(BiCS)の製品化について ~ TOSHIBA
当社は、世界で初めて注148層積層プロセスを用いた128ギガビット(16ギガバイト)の2ビット/セル(MLC) 3次元フラッシュメモリ(BiCS)注2を開発し、本日からサンプル出荷を開始します。
本製品は、SSDを中心に市場ニーズに合わせて展開する予定です。
3次元メモリー関連記事
半導体、微細化もう限界 高性能化のカギ握る「3次元」 ~ 日本経済新聞
半導体メモリ、この1年――NANDもDRAMも3次元へのシフト始まる ~ 日経テクロノジー
3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー ~ PC Watch
お問い合わせ・ご質問はこちらから。